In the last few years, semiconductor-based quantum well
structures have been intensively investigated because of their interesting
optical and electrical properties. This paper studies a quantum well
heterostructure made up of a zinc oxide (ZnO) thin layer (well) sandwiched
between two Zn1-xMgxO layers acting as potential barriers. The material is
chemically and thermally stable, non-toxic and abundant in nature. Setting the
width of the well to a = 10 nm, the allowed quantum states in the conduction
band (CB) and the wave function profiles are examined for two values of
magnesium concentration: x = 0.1 and x = 0.2. The calculated wavelengths
corresponding to intra-band transitions in the conduction band are in the
infrared domain of the electromagnetic spectrum. These wavelengths depend on x,
allowing to control the optoelectronic properties of the quantum well by
adjusting the concentration x during the growth process. This suggests that it
is possible to control the optoelectronic properties of a quantum well by
adjusting the concentration during the growth process, in order to obtain the
desired wavelength for a semiconductor laser.
Author(s)
Details
Moustapha Thiam
Laboratoire des Semi-Conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences
et Techniques, Université Cheikh Anta Diop de Dakar, Sénégal.
Aminata Diaw
Laboratoire des Semi-Conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences
et Techniques, Université Cheikh Anta Diop de Dakar, Sénégal.
Amaky Badiane
Laboratoire des Semi-Conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences
et Techniques, Université Cheikh Anta Diop de Dakar, Sénégal.
Omar Absatou Niasse
Laboratoire des Semi-Conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences
et Techniques, Université Cheikh Anta Diop de Dakar, Sénégal.
Amadou Diao
Laboratoire des Semi-Conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences
et Techniques, Université Cheikh Anta Diop de Dakar, Sénégal.
Moulaye Diagne
Laboratoire des Semi-Conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences
et Techniques, Université Cheikh Anta Diop de Dakar, Sénégal.
Bassirou Lo
Groupe de Physique de la Matière Condensée, Faculté des Sciences et
Techniques, Université Cheikh Anta Diop de Dakar, Sénégal.
Bassirou Ba
Laboratoire des Semi-Conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences
et Techniques, Université Cheikh Anta Diop de Dakar, Sénégal.
Please see the book here:-
https://doi.org/10.9734/bpi/crpps/v3/1974
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